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肯博即时赔率:AOD407

澳门即时赔率透透网 www.217470.live 發布時間:2019/6/10 20:31:00 訪問次數:217發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





一般說明:AOD407

P溝道增強模式場效應晶體管

AOD407采用先進的溝槽技術提供出色的RDS(ON),低柵極電荷和低電壓柵極電阻。具有優異的耐熱性在DPAK封裝中,該器件非常適合高電流負載應用。

-RoHS兼容

-無鹵素*


生命周期:AOD407

量產

歐盟RoHS

是豁免

歐盟RoHS版本

2011/65/EU

零件編號代碼

查看

描述

TransMOSFETP-CH60V12A3針(2+Tab)DPAKT/R.

分類

二極管,晶體管和晶閘管>FET晶體管>MOSFET

產品面世日期

2005-06-2200:00:00

ECCN

EAR99

供應商籠子代碼

6USE7

HTSUSA

8541290095

組態

類別

功率MOSFET

頻道模式

增強

頻道類型

P

每個芯片的元素數量

1

最大漏極源電壓

60V

最大柵極源電壓

±20V

最大連續漏極電流

12A

最大漏極源電阻

[email protected]

典型的柵極電荷@Vgs

[email protected]|[email protected]

典型的柵極電荷@10V

15.8nC

典型輸入電容@Vds

[email protected]

最大功耗

2500MW

最低工作溫度

-55°C

最高工作溫度

175℃

包裹姓氏

TO-252

供應商包裝

DPAK

包裝說明

DecaWatt套餐

針數

3

PCB

2

耳片

耳片

包裝長度(mm)

6.6

包裝寬度(mm)

6.1

包裝高度(mm)

2.29

針距(mm)

2.29

包裝材料

塑料

安裝

表面貼裝

封裝外形

下載PDF文檔

MSL

1

最大回流溫度(°C)

260

回流焊時間(秒)

三十

回流循環次數

3

標準

J-STD-020D

回流溫度資源

下載PDF文檔

鉛涂層(電鍍)

啞光錫

終端底座材料

制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc.
制造商零件編號 AOD407
描述 MOSFETP-CH60V12ATO252
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
原廠標準交貨期 26周
詳細描述 表面貼裝-P-溝道-pval-2068-12A(Tc)-2.5W(Ta)-50W(Tc)-TO-252-(D-Pak)
一般信息 數據列表 AOD407;
TO252(DPAK)PkgDrawing;

標準包裝 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET,MOSFET-單
系列 -


規格 FET類型 P溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流-連續漏極(Id)(25°C時) 12A(Tc)
驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
不同Id,Vgs時的RdsOn(最大值) 115毫[email protected],10V
不同Id時的Vgs(th)(最大值) [email protected]μA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)(最大值) [email protected]
Vgs(最大值) ±20V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值) [email protected]
FET功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
工作溫度 -55°C~175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-252,(D-Pak)
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63




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