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澳门球盘即时赔率:MMBZ33VALT1G

澳门即时赔率透透网 www.217470.live 發布時間:2019/12/30 16:59:00 訪問次數:90發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:MMBZ33VALT1G

這些雙單片硅穩壓二極管設計用于需要瞬態過電壓?;すδ艿撓τ?。他們適用于對電壓和ESD敏感的設備,例如計算機,打印機,商務機,通信系統,醫療設備和其他應用。他們的雙結常見陽極設計僅使用一個封裝即可?;ち教醵懶⒌南唄?。這些該器件非常適合電路板空間非常寶貴的情況。


特征:MMBZ33VALT1G
•SOT-23封裝允許兩個單獨的單向配置或單個雙向配置
•標準齊納擊穿電壓范圍-5.6 V至47 V
•峰值功率− 24或40 W @ 1.0 ms(單向),根據圖6波形
•ESD等級:
−每個人體模型3B級(> 16 kV)
−每個機器型號C級(> 400 V)
•IEC61000-4-2等級4的ESD額定值,±30 kV接觸放電
•最大鉗位電壓@峰值脈沖電流
•低泄漏<5.0 A
•易燃性等級UL 94 V-0
•適用于汽車和其他要求獨特的SZ前綴現場和控制變更要求;符合AEC-Q101具備PPAP
•這些設備無鉛且符合RoHS要求


機械特性:MMBZ33VALT1G
案例:無空隙,傳遞模塑,熱固性塑料外殼
表面處理:耐腐蝕表面處理,易于焊接
焊接目的的最高外殼溫度:
260°C持續10秒
設計用于最佳自動化電路板組裝的封裝
小包裝尺寸,適合高密度應用
提供8毫米卷帶式
使用設備編號訂購7英寸/ 3,000單位卷盤。
在設備編號中將“ T1”替換為“ T3”以訂購
13英寸/ 10,000單位卷盤。



MMBZ33VALT1G

制造商:ON Semiconductor
產品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管
RoHS: 詳細信息
產品類型:ESD Suppressors
極性:Unidirectional
工作電壓:26 V
通道數量:2 Channel
端接類型:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
擊穿電壓:31.35 V
鉗位電壓:46 V
峰值脈沖功耗 (Pppm):40 W
Vesd - 靜電放電電壓觸點:30 kV
Vesd - 靜電放電電壓氣隙:-
Cd - 二極管電容 :-
Ipp - 峰值脈沖電流:0.87 A
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
系列:MMBZxxxALT1
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
商標:ON Semiconductor
工廠包裝數量:3000
子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Vf - 正向電壓:0.9 V
單位重量:8.020 mg


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