位置:澳门即时赔率透透网 » 企業新聞

即时即时赔率率:FF600R12ME4Infineon英飛凌IGBT???/h1>

澳门即时赔率透透网 www.217470.live 發布時間:2019/12/30 23:56:00 訪問次數:55發布企業:深圳市明烽威電子有限公司

FF600R12ME4 Infineon 英飛凌IGBT ???

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4





制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4



制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4



制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4





制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4


制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4


制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4


制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4




制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4



制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs


零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4




制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4


制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4






相關新聞

相關型號



澳门即时赔率透透网
{ganrao} 吉林快三豹子遗漏图表 31彩票网站 3d定胆杀号彩宝贝网 黑龙江36选7走势图开奖结果 贵州十一选五开奖结果428分有多少人 江苏十一选五直选五 如何做公募基金的资产配置 大乐透20043期预测 pk10计划app破解版 内蒙古快三app 股票短线操作高手 浙江十一选五五开奖走势图结果 上海快三遗漏今天号码 股票发行条件 江西多乐彩综合走势图 安徽快3开奖结果今天怏3