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足球即时赔率吧:FF600R12ME4Infineon英飛凌IGBT???/h1>

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FF600R12ME4 Infineon 英飛凌IGBT ???

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> 產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 995 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

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制造商: Infineon
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配置: Dual
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集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
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Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

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配置: Dual
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封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
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工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

零件號別名:FF600R12ME4

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